IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Brand Name ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Model Number IS61NLP51236B-200B3LI
Minimum Order Quantity 1
Price Based on current price
Packaging Details anti-static bag & cardboard box
Delivery Time 3-5 work days
Payment Terms T/T
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Product Details
Memory Type Volatile Memory Format SRAM
Technology SRAM - Synchronous, SDR Memory Size 18Mbit
Memory Organization 512K X 36 Memory Interface Parallel
Clock Frequency 200 MHz Write Cycle Time - Word, Page -
Access Time 3 Ns Voltage - Supply 3.135V ~ 3.465V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type Surface Mount
Package / Case 165-TBGA Supplier Device Package 165-TFBGA (13x15)
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Part Number Description
IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61LPS51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP102418B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61NLP12836EC-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
IS61LPS12836EC-200B3LI IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
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71V3577S75BQG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
IS61NLP12836EC-200B3LI IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
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IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
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IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
IS64LF12836EC-7.5B3LA3 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
IS61NLP25636B-200B3LI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
71V35761SA166BQGI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
IS61NLP25636B-200B3LI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS64LF12836A-7.5B3LA3 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
IS61NLP102418B-200B3L-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61LPS51236B-200B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP102418B-200B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP51236B-200B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NVP51236B-200B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61LPS25636A-200B3LI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP25636A-200B3LI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61LPS25636A-200B3LI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP25636A-200B3LI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61NLP102418B-200B3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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71V65603S150BQG IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
IS61LPS102418B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61VPS51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
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71V67703S85BQGI IC SRAM 9MBIT PAR 87MHZ 165CABGA
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IS61NLP102418B-250B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP102418B-250B3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP102418B-250B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS64LF25636A-7.5B3LA3 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
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71V65703S75BQG IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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71V65703S85BQG IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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71V65803S100BQG IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
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71V65803S133BQG IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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71V65803S150BQG IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
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71V65903S85BQG IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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71V67603S133BQG IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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71V67603S150BQG IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
71V67703S75BQ IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
71V67703S75BQG IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
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71V67703S80BQG IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
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71V65903S80BQG8 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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IS61QDPB41M36A1-400B4LI IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
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IS61VPS102436B-166B3LI IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61VPS102436B-166B3LI-TR IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61LPS204818B-200B3L IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61VPS102436B-250B3L-TR IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP204818B-250B3L-TR IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
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71V67803S133BQGI8 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
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Product Description

Product Details

 

DESCRIPTION

The 18 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 72 bits, 512K words by 36 bits and 1M words by 18 bits, fabricated with ISSIs advanced CMOS technology.

 

 

FEATURES

• 100 percent bus utilization
• No wait cycles between Read and Write
• Internal self-timed write cycle
• Individual Byte Write Control
• Single R/W (Read/Write) control pin
• Clock controlled, registered address, data and control
• Interleaved or linear burst sequence control using MODE input
• Three chip enables for simple depth expansion and address pipelining
• Power Down mode
• Common data inputs and data outputs
• CKE pin to enable clock and suspend operation
• JEDEC 100-pin TQFP, 165-ball PBGA and 209- ball (x72) PBGA packages
• Power supply:
NVP: VDD 2.5V (± 5%), VDDQ 2.5V (± 5%)
NLP: VDD 3.3V (± 5%), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5%)
• JTAG Boundary Scan for PBGA packages
• Industrial temperature available
• Lead-free available

 

Specifications

Attribute Attribute Value
Manufacturer ISSI
Product Category Memory ICs
Series -
Packaging Tray Alternate Packaging
Package-Case 165-TBGA
Operating-Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Parallel
Voltage-Supply 3.135 V ~ 3.465 V
Supplier-Device-Package 165-TFBGA (13x15)
Memory Capacity 18M (512K x 36)
Memory-Type SRAM - Synchronous
Speed 200MHz
Format-Memory RAM

Descriptions

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15)
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 165-Pin TFBGA
SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM